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Si7447ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10 V thru 5 V
4V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.018
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
6500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.016
5200
0.014
C iss
0.012
0.010
0.008
V GS = 4.5 V
3900
2600
C oss
0.006
0.004
V GS = 10 V
1300
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 24 A
8
V DS = 10 V
6
V DS = 15 V
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.0
0.8
0.6
0
21
42
63
84
105
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73358
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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